LCMXO2-2000HC-4FTG256C フィールドプログラム可能なゲート配列 IC 206 75776 2112 256-LBGA
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 埋め込み | |
| FPGA (フィールドプログラム可能なゲートアレイ) | |
| Mfr | ラティス・セミコンダクター・コーポレーション |
| シリーズ | マクXO2 |
| パッケージ | トレー |
| LAB/CLBの数 | 264 |
| 論理要素/セルの数 | 2112 |
| RAM ビットの総数 | 75776 |
| I/O の数 | 206 |
| 電圧 - 供給 | 2.375V~3.465V |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 動作温度 | 0°C ~ 85°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | 256-LBGA |
| 供給者のデバイスパッケージ | 256-FTBGA (17x17) |
| 基本製品番号 | LCMXO2-2000 |
特徴LCMXO2-2000HC-4FTG256C
• 柔軟な論理構造
• 256 から 6864 LUT4 と 18 から 334 I/O の 6 つのデバイス
• 超低電源 装置
• 低電力 65nm プロセスの進歩
• 待機電源は22μWまで
• プログラム可能な低振動差分I/O
• スタンバイ モード と 省電 の 他 の オプション
• 埋め込み と 分散 さ れ た メモリ
• 240kbitsまで sysMEMTM 組み込みブロック RAM
• 最大 54 kbits 分散 RAM
•専用FIFO制御ロジック
• オン チップ の ユーザー フラッシュ メモリ
• 256kbits の ユーザー フラッシュ メモリ まで
• 書き込み サイクル 100,000 回
• WISHBONE,SPI,I2CおよびJTAGインターフェイスでアクセス可能
• ソフトプロセッサのPROMまたはフラッシュメモリとして使用できます
• 前もって設計された源同期I/O
• I/O セルに DDR レジスタ
• 専用ギアリング論理
• 7:1 ディスプレイ I/O への調整
• 一般的なDRD,DRX2,DRX4
• DQS サポート付き専用 DDR/DDR2/LPDDR メモリ
詳細についてLCMXO2-2000HC-4FTG256C
マッチXO2デバイスは,2つのバージョンで提供されています. 超低電力 (ZE) デバイスと高性能 (HCとHE) デバイス. 超低電力デバイスは,3つの速度グレードで提供されています.最速は3です同様に,高性能装置は,3つの速度グレードで提供されています. ¥4, ¥5と ¥6,最も速いのは ¥6です.
環境と輸出分類LCMXO2-2000HC-4FTG256C
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | 3A991D |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
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